100V/100A หน่วยวัดแหล่งกระแทกกระแสไฟฟ้าแรงสูง HCP300 สําหรับ IGBT
นําเสนอ HCP300 หน่วยวัดแหล่งแรงกระแทกกระแสไฟฟ้าสูง 100V/100A สําหรับ IGBT มีอัตราการเก็บตัวอย่าง 250k ระยะแรงกระแทกกระแทก 100A และความแม่นยําในการวัด 0.1%เหมาะสําหรับการทดสอบโมดูลเซลล์แสงอาทิตย์และอุปกรณ์ RF, กับโปรแกรมทดสอบมืออาชีพฟรี, ยินดีต้อนรับเข้าชมเว็บไซต์ของเรา!
หน่วยวัดแหล่งที่มา
-
100V 100A SMU หน่วยวัด ไฮคอเรนท์ ปั๊มแหล่งวัด HCP300 สําหรับ IGBT
ติดต่อตอนนี้ -
เครื่องวัดแหล่งผลักดัน P300 300V 1A 10A เครื่องวัดแหล่ง
ติดต่อตอนนี้ -
30V 4A 30A หน่วยวัดแหล่งกระแทก P100B เครื่องวัดแหล่งสําหรับอุปกรณ์ครึ่งนํา
ติดต่อตอนนี้ -
หน่วยวัดแหล่งครึ่งตัวนํา 100V 1A 10A เครื่องวัดแหล่งกระแทก P200
ติดต่อตอนนี้ -
30V 1A 10A P100 เครื่องวัดแหล่งสี่ภาคปฏิบัติการ เครื่องวัดแหล่งแรง
ติดต่อตอนนี้
วิดีโอที่เกี่ยวข้อง
1000A/18V ไฟฟ้าปริมาณสูง HCPL100 สําหรับ SiC/IGBT/GaN HEMT Test
หน่วยวัดแหล่งที่มา
February 25, 2025
S300 หน่วยวัดแหล่งไฟฟ้าแบบ DC 300V/1A สําหรับการทดสอบคุณสมบัติไฟฟ้า
หน่วยวัดแหล่งที่มา
February 24, 2025
10kV/6000A Power Device Analyzer Static Test System PMST สําหรับ MOSFET BJT IGBT และ SiC GaN เซมคอนดักเตอร์
ระบบการทดสอบครึ่งตัวนํา
February 26, 2025
พลังงานไฟฟ้าปริมาณแรงแรงสูง 300A/30V HCPL030 สําหรับ SiC/IGBT/GaN HEMT Test
พลังงานไฟฟ้าปัจจุบันสูง
February 25, 2025
LDBI Multi-Channel High-Power Laser Aging System ระบบการเก่าด้วยเลเซอร์พลังงานสูง
ระบบการทดสอบครึ่งตัวนํา
February 26, 2025
เครื่องวัดแหล่งไฟฟ้าแบบสองช่อง 300V/30A DP300B สําหรับการทดสอบคุณสมบัติไฟฟ้าต่าง ๆ
เครื่องวัดแหล่งช่องสอง
February 24, 2025