2200V/100mA แหล่งพลังงานความดันสูง E200
s และวัดถึง 2200V โดยการวัดแม่นยําของสัญญาณกระแสอ่อนที่ต่ําถึง 1nA, พร้อมการเพิ่มและลดความแรงดันที่รวดเร็วมาก, การปรับปรุงพลังงานและการวัดแม่นยําโหมดหลากหลายและการสแกนแบบยืดหยุ่น, และการจํากัดกระแสปัญญาอัจฉริยะสําหรับการรับประกันความปลอดภัย, เหมาะสําหรับ IGBT การเฒ่าอายุของปัสดุพลังงานและ varistor ทนการทดสอบความแรงกดดัน, ยินดีต้อนรับสู่เว็บไซต์ของเรา!
แหล่งพลังงานความดันสูง
-
2200V 100mA แหล่งไฟฟ้าความดันสูง E200 แหล่งไฟฟ้าความดันคง
ติดต่อตอนนี้ -
3500V/100mA แหล่งไฟฟ้าความดันสูง E300 เครื่องวัดแหล่งความดันสูง
ติดต่อตอนนี้ -
8000V 40mA แหล่งพลังงานความดันสูง E800 สําหรับ SiC / IGBT / GaN HEMT Test
ติดต่อตอนนี้ -
1200V 100mA หน่วยวัดแหล่งพลังงานความดันสูง สําหรับการทดสอบความดันการหลุด IGBT
ติดต่อตอนนี้ -
10V 500mA PXI แหล่งหน่วยวัด Sub Card พลัส PXI SMU หน่วย CBI401
ติดต่อตอนนี้
วิดีโอที่เกี่ยวข้อง
10kV/6000A Power Device Analyzer Static Test System PMST สําหรับ MOSFET BJT IGBT และ SiC GaN เซมคอนดักเตอร์
ระบบการทดสอบครึ่งตัวนํา
February 26, 2025
พลังงานไฟฟ้าปริมาณแรงแรงสูง 300A/30V HCPL030 สําหรับ SiC/IGBT/GaN HEMT Test
พลังงานไฟฟ้าปัจจุบันสูง
February 25, 2025
LDBI Multi-Channel High-Power Laser Aging System ระบบการเก่าด้วยเลเซอร์พลังงานสูง
ระบบการทดสอบครึ่งตัวนํา
February 26, 2025
30V / 1A / 10A การทดสอบครึ่งประสาท การดําเนินงานสี่สี่แควดาน เครื่องวัดแหล่งกระแทก P100
หน่วยวัดแหล่งที่มา
February 24, 2025