10kV/6000A Power Device Analyzer Static Test System PMST สําหรับ MOSFET BJT IGBT และ SiC GaN เซมคอนดักเตอร์
นําเสนอ PMST ระบบทดสอบสแตติกของเครื่องวิเคราะห์พลังงาน 10kV/6000A ที่ออกแบบมาเพื่อการทดสอบแม่นยําของ MOSFET, BJT, IGBT และ SiC GaN semiconductorsมีคุณสมบัติความดันสูงและกระแสไฟฟ้าสูงความสามารถในการวัดความละเอียดระดับ μΩ และการวัดกระแสระดับ nA รองรับการวัดความจุของแยก และการตั้งค่าแบบโมดูลสําหรับการทดสอบที่ยืดหยุ่นยินดีต้อนรับสู่เว็บไซต์ของเรา!
ระบบการทดสอบครึ่งตัวนํา
-
10kV/6000A Power Device Analyzer การทดสอบสแตตติก PMST สําหรับ Mosfet BJT IGBT SiC GaN Semiconductor
ติดต่อตอนนี้ -
1200V/100A เครื่องวิเคราะห์พาราเมตรครึ่งตัวนํา SPA6100 ระบบทดสอบครึ่งตัวนํา
ติดต่อตอนนี้ -
ระบบทดสอบ C-V ของอุปกรณ์ครึ่งนํา 10Hz-1MHz
ติดต่อตอนนี้ -
ระบบทดสอบเซ็นเซอร์กระแส 1000A CTMS อุปกรณ์ทดสอบครึ่งตัวนํา
ติดต่อตอนนี้ -
LDBI ระบบทดสอบครึ่งตัวนําแบบเลเซอร์เก่า ระบบทดสอบหลายช่อง
ติดต่อตอนนี้
วิดีโอที่เกี่ยวข้อง
LDBI Multi-Channel High-Power Laser Aging System ระบบการเก่าด้วยเลเซอร์พลังงานสูง
ระบบการทดสอบครึ่งตัวนํา
February 26, 2025
พลังงานไฟฟ้าปริมาณแรงแรงสูง 300A/30V HCPL030 สําหรับ SiC/IGBT/GaN HEMT Test
พลังงานไฟฟ้าปัจจุบันสูง
February 25, 2025
30V / 1A / 10A การทดสอบครึ่งประสาท การดําเนินงานสี่สี่แควดาน เครื่องวัดแหล่งกระแทก P100
หน่วยวัดแหล่งที่มา
February 24, 2025
100V/100A หน่วยวัดแหล่งกระแทกกระแสไฟฟ้าแรงสูง HCP300 สําหรับ IGBT
หน่วยวัดแหล่งที่มา
February 24, 2025
เครื่องวัดแหล่งไฟฟ้าแบบสองช่อง 300V/30A DP300B สําหรับการทดสอบคุณสมบัติไฟฟ้าต่าง ๆ
เครื่องวัดแหล่งช่องสอง
February 24, 2025
S300 หน่วยวัดแหล่งไฟฟ้าแบบ DC 300V/1A สําหรับการทดสอบคุณสมบัติไฟฟ้า
หน่วยวัดแหล่งที่มา
February 24, 2025
การ์ดรับข้อมูล A400 ด้วยความละเอียด ADC 16 บิต และอัตราการเก็บตัวอย่าง 1 MS/s
การ์ดรับข้อมูล
February 26, 2025