1000A/18V ไฟฟ้าปริมาณสูง HCPL100 สําหรับ SiC/IGBT/GaN HEMT Test
ปัจจุบัน, ขอบกระแทกกระแทก 15μs, และการวัดระดับความดันกระแทกกระแทกสองช่อง, เหมาะสําหรับการทดสอบ ไดโอเดส Schottky, อุปกรณ์ IGBT, และอื่น ๆ, ยินดีต้อนรับเข้าเยี่ยมเว็บไซต์ของเรา!
หน่วยวัดแหล่งที่มา
-
1000A 18V ไฟแรงสูง แหล่งไฟฟ้าปริมาณกระแทก HCPL100 แหล่งไฟฟ้าที่สามารถเขียนโปรแกรมได้
ติดต่อตอนนี้ -
300A 30V แรงไฟฟ้าแรงกระแทก แหล่งไฟฟ้ากระแสสูง HCPL030 สําหรับ SiC IGBT GaN HEMT Test
ติดต่อตอนนี้ -
10V 500mA PXI แหล่งหน่วยวัด Sub Card พลัส PXI SMU หน่วย CBI401
ติดต่อตอนนี้ -
เครื่องวัดแหล่งผลักดัน P300 300V 1A 10A เครื่องวัดแหล่ง
ติดต่อตอนนี้ -
30V 4A 30A หน่วยวัดแหล่งกระแทก P100B เครื่องวัดแหล่งสําหรับอุปกรณ์ครึ่งนํา
ติดต่อตอนนี้
วิดีโอที่เกี่ยวข้อง
S300 หน่วยวัดแหล่งไฟฟ้าแบบ DC 300V/1A สําหรับการทดสอบคุณสมบัติไฟฟ้า
หน่วยวัดแหล่งที่มา
February 24, 2025
10kV/6000A Power Device Analyzer Static Test System PMST สําหรับ MOSFET BJT IGBT และ SiC GaN เซมคอนดักเตอร์
ระบบการทดสอบครึ่งตัวนํา
February 26, 2025
พลังงานไฟฟ้าปริมาณแรงแรงสูง 300A/30V HCPL030 สําหรับ SiC/IGBT/GaN HEMT Test
พลังงานไฟฟ้าปัจจุบันสูง
February 25, 2025
LDBI Multi-Channel High-Power Laser Aging System ระบบการเก่าด้วยเลเซอร์พลังงานสูง
ระบบการทดสอบครึ่งตัวนํา
February 26, 2025
เครื่องวัดแหล่งไฟฟ้าแบบสองช่อง 300V/30A DP300B สําหรับการทดสอบคุณสมบัติไฟฟ้าต่าง ๆ
เครื่องวัดแหล่งช่องสอง
February 24, 2025
การ์ดรับข้อมูล A400 ด้วยความละเอียด ADC 16 บิต และอัตราการเก็บตัวอย่าง 1 MS/s
การ์ดรับข้อมูล
February 26, 2025