1200V/100mA แหล่งพลังงานความดันสูงสําหรับการทดสอบความดันการหลุด IGBT
, และการป้องกันที่ฉลาด, สําหรับการทดสอบที่มีประสิทธิภาพและน่าเชื่อถือ, ยินดีต้อนรับเข้าร่วมเว็บไซต์ของเรา!
แหล่งพลังงานความดันสูง
-
1200V 100mA หน่วยวัดแหล่งพลังงานความดันสูง สําหรับการทดสอบความดันการหลุด IGBT
ติดต่อตอนนี้ -
2200V 100mA แหล่งไฟฟ้าความดันสูง E200 แหล่งไฟฟ้าความดันคง
ติดต่อตอนนี้ -
3500V/100mA แหล่งไฟฟ้าความดันสูง E300 เครื่องวัดแหล่งความดันสูง
ติดต่อตอนนี้ -
8000V 40mA แหล่งพลังงานความดันสูง E800 สําหรับ SiC / IGBT / GaN HEMT Test
ติดต่อตอนนี้ -
10V 500mA PXI แหล่งหน่วยวัด Sub Card พลัส PXI SMU หน่วย CBI401
ติดต่อตอนนี้
วิดีโอที่เกี่ยวข้อง
LDBI Multi-Channel High-Power Laser Aging System ระบบการเก่าด้วยเลเซอร์พลังงานสูง
ระบบการทดสอบครึ่งตัวนํา
February 26, 2025
300V/4A/30A หน่วยวัดแหล่งกระแทก P300B สําหรับครึ่งตัวนําและวัสดุ
หน่วยวัดแหล่งที่มา
February 24, 2025
300V / 1A / 10A การทดสอบครึ่งประสาท การดําเนินงานสี่สี่แควดาน เครื่องวัดแหล่งกระแทก
หน่วยวัดแหล่งที่มา
February 24, 2025
30V/1A การทดสอบคุณสมบัติไฟฟ้าของครึ่งตัวนํา เครื่องวัดแหล่ง DC S100
หน่วยวัดแหล่งที่มา
February 24, 2025